晶背供电技术示意图
摘要
半导体晶背供电(Backside Power Delivery Network，BSPDN)正成为次世代制程技术的关键突破，致力于解决sub-10nm节点中性能与功耗的瓶颈挑战。本篇报告深入解析三大主流技术路径，包括背面埋入式电源轨道(BSBPR)、PowerVia与背面直接接触(DBC)。在台积电、Intel与Samsung三大晶圆代工厂商的技术推动下，BSPDN不仅加速制程技术的演进，还为上下游产业链带来崭新的发展机遇。本篇报告进一步从技术层面探讨BSPDN的核心制程环节，涵盖晶圆键合、极限减薄与高精度曝光等，提供该技术的全面剖析。
